Основы радиоэлектроники

Системы передачи информации

Виды электрических переходов между двумя слоями полупроводника

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n - типа (электронную, а другая - р - типа (дырочную), называют электронно-дырочным переходом

, или, кратко, р - n-переходом.

Электрические переходы между двумя областями полупроводника одного и того же типа электропроводности, с различающимися значениями удельной электрической проводимости, называют изотипными переходами.

Изотипные переходы могут быть электронно-электронными (n - n+) или дырочно-дырочным (р -р+). Знаком + условно отмечается область с более высокой удельной электрической проводимостью.

В зависимости от используемых для образования электрического перехода полупроводниковых материалов различают гомогенный переход (гомопереход)

, образованный в одном полупроводниковом материале - германии (Gе), кремнии (Si), арсениде галлия (GаАs) и др., и гетерогенный переход (гетеропереход)

, образованный смежными областями полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны: германий - кремний, германий - арсенид галлия и многие другие. Например, такие структуры получили широкое распространение в оптоэлектронике: многие светоизлучающие диоды строятся на структуре - GаАlАs - GаАs , полупроводниковые лазеры - на структуре - InР - GаIn - АsР.


Другое по теме:

Проектирование локальной вычислительной сети для организации Коммерческий банк Настоящее техническое задание распространяется на разработку и испытание ЛВС организации «Коммерческий банк», предназначенной для взаимодействия между сотрудниками банка, обмена, передачи информации и для совместного использования периферийного ...