Основы радиоэлектроники

Системы передачи информации

Технологии производства МЭМС

микроактюатор пьезоэлектрический гидравлический микросистема

Для изготовления микросистем главным образом используется групповая технология. При использовании подобной технологии одновременно обрабатывается большое количество элементов, при чём ручное вмешательство либо вообще не требуется, либо оно незначительно. Например, осаждение плёнок, оптическая литография, гальваника или травление. Многие из этих технологий были развиты в полупроводниковой технологии.

Так как микросистемы имеют крошечные размеры, издержки на материалы малы, а это означает, что производственные затраты низкие, несмотря на то, что накладываются особые требования на необходимую чистоту материалов. Стоимость заводов по производству высока. Производственное оборудование требует очень высокой точности (чистое помещение, покрытие…). Кроме того, высоких издержек требуют обслуживание и контроль (например, управление производственным процессом, контроль над нанесением покрытия).

В настоящее время существует несколько базовых технологий производства МЭМС, составной частью которых, в том числе, являются микроактюаторы.

Кремниевая объёмная микрообработка.

Под кремниевой объёмной микрообработкой понимают технологию глубинного объёмного травления, при чём травление может быть как жидкое химическое анизотропное, так и плазменное.

Сухое травление.

Сухое травление - это метод силиктивного удаления не маскированных участков поверхности. Особенности процесса заключаются в том, что этот процесс можно комбинировать с технологией тонких плёнок и с технологией КМОП. Также посредством физико-химического травления контролируется профиль травления.

Параметры процесса

Преимущества

Недостатки

1.Параметры плазмы: состав газа напряжение смещения температура подложки плотность плазмы давление процесса

1.Осмысленно получаемое горизонтальное изображение.

1.Обработка пластин по отдельности.

2. Маскирование полимерами и тонкими плёнками:

- термически SiO, - химическим осаждением из паровой фазы при пониженном давлении SiO2 или Si3N4

-нанесение фоторезиста - металлизация (Cr, Al).

2.Изменяемый профиль

2.Увеличение времени травления.

3. Химическое воздействие: с обратной стороны (мембраны, отверстия) -геометрическая форма определяется шаблоном маски, с передней стороны (консоли, каналы, затворы) - геометрическая форма определяется подтравливанием.

3.Возможно получение рельефных изображений

3.Нет собственного ограничителя травления и определения изображения

4.Газы травителя: SF6 - CBrF3 при t< 270K SF6 - O2 при t< 100 K CHF3 - O2 при t< 100 K CHCl3 при t< 270 K.

Жидкое химическое анизотропное травление

В этом процессе используется то, что разные кристаллографические направления кристалла травятся с разной скоростью (остаётся поверхность с ориентацией 111).

Параметры процесса

Преимущества

Недостатки

1. Ориентация подложки: 111(канавка V-образного сечения) 110(канавка U-образного сечения, не стандартизована)

1. Простой процесс группового изготовления.

1. Маскирование для глубинного травления.

2. Маскирование тонкими плёнками: - термически SiO2, - химическим осаждением из паровой фазы при пониженном давлении SiO2 или Si3N4 - металлизация (Cr) для термомеханической обработки.

2. Ограниченный набор получаемых изображений.

3. Химическое воздействие: с обратной стороны (мембраны, каналы) - геометрическая форма определяется кристаллографическими плоскостями, с передней стороны (консоли, каналы) - геометрическая форма определяется подтравливанием.

3. Проблемы с внешними углами.

4. Процесс группового изготовления ограничен поверхностной реакцией.

Перейти на страницу: 1 2 3 4


Другое по теме:

Обнаружение многопозиционного сигнала Баркера на фоне гауссовского шума Настоящая курсовая работа завершает изучение дисциплины "Основы компьютерного проектирования и моделирования РЭС". Цель проектирования – приобретение студентами первого опыта самостоятельной разработки радиотехнической системы с помощь ...